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FRP玻璃鋼復(fù)合材料論壇

標(biāo)題: 薄膜材料的純度的研究分析 [打印本頁]

作者: jsats0523    時間: 2016-6-3 16:45
標(biāo)題: 薄膜材料的純度的研究分析
薄膜的純度


薄膜的純度與所蒸發(fā)純度依賴于一下三個方面:一是源材料的純度;二是加熱裝置、蒸發(fā)舟以及支撐材料的污染;三是真空系統(tǒng)中的殘余氣體。在沉淀過程中,蒸發(fā)物,包括原子和分子,連同殘余氣體同時的、獨立的撞擊到基片表面。
1-1給出了沉淀速率和殘余氣體壓力在影響薄膜中含氧量上的相互作用。根據(jù)氧氣的黏滯系數(shù)(大概在0.1量級或者更?。┛梢源蟾殴烙嫵龊趿棵芏龋欢@些結(jié)果有重要意義。為了沉積出非常純的薄膜,要求沉積速率高和低氣體(H[sub]2[/sub]0、CO[sub]2[/sub]、C0O[sub]2[/sub]、N[sub]2[/sub])殘余壓力。對于真空蒸發(fā)來說這些條件都不是很難的,比如在10[sup]-6[/sup] torr 的壓力下蒸發(fā)速率可以達到1000 Å /s。
1-1     室溫沉積Tim 薄膜的最大氧含量

P02/torr
沉淀率/Å /s

1

10

100

1000

10[sup]-9[/sup]

10[sup]-3[/sup]

10[sup]-4[/sup]

10[sup]-5[/sup]

10[sup]-6[/sup]

10[sup]-7[/sup]

10[sup]-1[/sup]

10[sup]-2[/sup]

10[sup]-3[/sup]

10[sup]-4[/sup]

10[sup]-5[/sup]

10

1

10[sup]-1[/sup]

10[sup]-2[/sup]

10[sup]-3[/sup]

10[sup]3[/sup]

10[sup]2[/sup]

10

1



另一方面,在濺射工藝中,沉積速率一般比蒸發(fā)低2個數(shù)量級,而壓力比蒸發(fā)高4個數(shù)量級,因此所沉積的薄膜含有較高的氧。正是這個原因濺射不像蒸發(fā)那樣被認為是一種清潔的薄膜制備方法。然而過去的20年中,隨著高沉淀速率磁控濺射技術(shù)的商業(yè)發(fā)展,在清潔真空系統(tǒng)下低壓強工作的濺射技術(shù)取得大量的進展。在制備AI薄膜時,兩種方法得到的薄膜純度大致相當(dāng)。最后,表1-1表面在10[sup]-3[/sup]torr殘余氣體壓力下沉淀薄膜,薄膜中滲入了大量的氧。在反應(yīng)沉淀金屬氧化物的工藝中,可以利用這個引入氧,促進和金屬反應(yīng)。在制備純的金屬薄膜中,存在氧和氮雜質(zhì)的明顯影響是降低電導(dǎo)率、反射率以及其他的一些特性,如硬度等。




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