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納米結(jié)構(gòu)特性<br> <br>原子、鍵結(jié)與物質(zhì)<br> 所有的材料與物質(zhì)均是由原子經(jīng)適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)鍵結(jié)所組合而成,包括一級(jí)鍵結(jié)的金屬鍵、離子鍵與共價(jià)鍵,二級(jí)鍵結(jié)則有凡得瓦鍵與氫鍵。鍵結(jié)長(zhǎng)度由兩原子靠近時(shí)之凈作用力和(原子吸引力與排斥力)為零的距離所決定,而凈作用力對(duì)原子分隔距離積分所得位能曲線,則在鍵長(zhǎng)處有最低的位能。此一鍵結(jié)性質(zhì)不僅對(duì)應(yīng)于材料的機(jī)械性質(zhì),也與熱性質(zhì)息息相關(guān)。固態(tài)物質(zhì)不僅是單純的原子凝集體,個(gè)別原子之價(jià)電子的電子能階,因原子鍵結(jié)而形成鍵結(jié)軌域與反鍵結(jié)軌域,其軌域數(shù)目隨著鍵結(jié)數(shù)的增加而增加,且能階間距隨之縮小而近似于連續(xù)性分布的能帶。此一固態(tài)能階大小與分布的性質(zhì),與鍵結(jié)的原子種類(lèi)及原子數(shù)目有高度的關(guān)連性,所影響的物質(zhì)性質(zhì)包括:電性質(zhì)、光性質(zhì)、磁性質(zhì)與光電性質(zhì)等。納米結(jié)構(gòu)是指至少有一維尺度介于1~100 nm的物質(zhì)結(jié)構(gòu),包括:由幾個(gè)至幾百個(gè)原子的聚集體所形成約數(shù)納米大小的原子團(tuán)簇(clusters);顆粒尺寸為納米量級(jí)(1~100 nm)的超細(xì)納米微粒(nanoparticles);以及由一定數(shù)量原子所組成的人造原子聚集體,又稱(chēng)量子點(diǎn)。在這些納米結(jié)構(gòu)物質(zhì)中,因構(gòu)筑物質(zhì)的原子數(shù)目及其分布隨著物質(zhì)尺寸的縮減而急遽變化,影響其性質(zhì)的鍵結(jié)與能階特性也與塊材有著截然不同的呈現(xiàn)。以下即就納米結(jié)構(gòu)中的表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)與量子局域效應(yīng)等特性作說(shuō)明。<br>表面效應(yīng)<br> 物質(zhì)微粒隨著尺度的降低,分布于微粒表面的原子數(shù)比例隨之增加,這些表面原子由于近鄰配位不全,無(wú)法形成最低鍵結(jié)位能的穩(wěn)定態(tài),而有較高的表面位能且極不穩(wěn)定,具有極高的化學(xué)活性易與其它原子鍵結(jié)。此一表面原子活性的效應(yīng),是構(gòu)成惰性貴金屬觸媒活性的主要原因。納米微粒表面原子最近鄰數(shù)低于微粒內(nèi)部,再加上大的比表面積,使得相鄰原子間的非鍵結(jié)電子對(duì)排斥力降低,這會(huì)導(dǎo)致納米粒子內(nèi)鍵長(zhǎng)的縮短以及晶格排列的變形,原子間距的縮小,將會(huì)使磁性材料的特征物理量—居里溫度(Tc)隨粒徑減小而下降。另外,在金屬微粒中,因粒徑減小所導(dǎo)致的表面能增大,使得納米金屬微粒于熔融時(shí),所需增加熱能以促進(jìn)原子擴(kuò)散遠(yuǎn)比塊材小得多,這正是納米金屬微粒熔點(diǎn)急遽下降的原因。將納米微粒的陶瓷粉末在高壓下壓制成型,應(yīng)用于陶瓷的燒結(jié)制程時(shí),可在較低的燒結(jié)溫度,利用納米微粒的高界面能驅(qū)動(dòng)原子的擴(kuò)散,達(dá)到精密陶瓷高致密化的效果。<br>小尺寸效應(yīng)<br> 藉由降低晶粒的尺寸大小以達(dá)到阻止插排移動(dòng)的效果,常應(yīng)用于提升復(fù)晶材料的機(jī)械強(qiáng)度。對(duì)許多材料而言,降伏強(qiáng)度s y(或是硬度H)隨晶粒尺寸減小而增大的關(guān)系,可由Hall-Pectch eq.來(lái)表示:<br> ; <br> 式中s 0、H0與K為常數(shù),d為平均晶粒直徑。一般而言,K值為正數(shù),且s y或H是與d-1/2成正比線性關(guān)系。然而在納米晶粒大小的材料中,其尺度接近于內(nèi)部相鄰插排的間距,使得納米材料的硬度與晶粒尺寸的關(guān)系,無(wú)法用上述關(guān)系式解釋?zhuān)袕?fù)雜的正K值、負(fù)K值以及正負(fù)K值混合的關(guān)系。在此同時(shí),納米晶粒材料所具有極大體積比例的晶界,會(huì)大幅改善陶瓷材料的塑性、沖擊韌性與斷裂韌性,而欲得到高強(qiáng)度、超塑性的精密陶瓷材料,則晶粒大小的控制須在一臨界的尺度范圍內(nèi)。<br> 當(dāng)納米微粒的尺寸小于光波長(zhǎng)度時(shí),即無(wú)法再反射入射光,且具有很強(qiáng)的光吸收率,使得多種納米金屬微粒均呈現(xiàn)黑色的外觀。若電子波于納米尺寸的物質(zhì)微粒中傳導(dǎo)時(shí),其周期性晶格的邊界條件將于納米微粒的表面被破壞,而表面原子則會(huì)產(chǎn)生大量的表面態(tài)能階,并在原先塊材的能隙中生成新的能階(如圖一所示)。納米微粒中的磁化方向因尺寸的縮小,可因熱運(yùn)動(dòng)致使向異性降低,而有超順磁性的特性。另外一方面,因納米微粒的尺寸小至僅單磁疇的大小時(shí),欲使此一永磁性微粒的磁矩反轉(zhuǎn),則須加大反向磁場(chǎng)強(qiáng)度以使整個(gè)粒子反轉(zhuǎn),使得納米微粒具有很高的磁矯頑力。<br> <br>圖一 半導(dǎo)體塊材能帶結(jié)構(gòu)與原子團(tuán)簇能階結(jié)構(gòu)示意圖(2)<br>量子尺寸效應(yīng)<br> 在能帶理論中,金屬材料的電子能階于費(fèi)米能階附近是連續(xù)性分布的能帶,隨著粒子尺寸的降低,轉(zhuǎn)變?yōu)殡x散性的電子能階。久保(Kubo)理論進(jìn)一步說(shuō)明相鄰電子能階間距d 與納米金屬粒子直徑d的關(guān)系,如下所示:<br> <br> <br>圖二 光的吸收、自發(fā)光與受激發(fā)光<br> 式中N為粒子中的總導(dǎo)電電子數(shù),EF為費(fèi)米能階。可看出隨著粒徑的減小,能階間距增大。此一量子尺寸效應(yīng),顯現(xiàn)于納米半導(dǎo)體微粒的效應(yīng)則是能隙變寬,而鍵價(jià)帶與導(dǎo)電帶的能帶則轉(zhuǎn)變成不連續(xù)分布的能階。在材料的光性質(zhì)上,主要是光的吸收與發(fā)光,其程序如圖二所示為能階之間的電子轉(zhuǎn)移。納米半導(dǎo)體微粒因尺度的縮小,通常伴隨著光吸收的藍(lán)位移,其原因即是因?yàn)槟芟蹲儗捤?。在納米微粒的發(fā)光現(xiàn)象上,當(dāng)激發(fā)態(tài)電子轉(zhuǎn)移至基態(tài)時(shí),其發(fā)射光的波長(zhǎng)由能隙寬度所決定,隨著微粒尺寸的縮小,發(fā)射光的顏色相較于塊材,因能隙變寬而產(chǎn)生往短波長(zhǎng)偏移的現(xiàn)象(如圖三所示)。亦即,我們可藉由制備不同粒徑大小的納米半導(dǎo)體微粒來(lái)控制所發(fā)出的光色。若是所使用的納米半導(dǎo)體微粒為寬能隙的n-型半導(dǎo)體(如TiO2、ZnO、CdS、PbS等),則在大于能隙能量的可見(jiàn)光或紫外光照射下,受光激發(fā)所產(chǎn)生的電子躍遷至導(dǎo)電帶,并在鍵價(jià)帶留下電洞,此一電子-電洞對(duì)的分離(如圖四所示),因納米半導(dǎo)體粒子粒徑縮小所致的能隙寬度變大,而變得極有效率,再加上粒徑縮小至與半導(dǎo)體的德拜長(zhǎng)度(Debye length)相當(dāng),則光激發(fā)所產(chǎn)生的載子流可以經(jīng)由擴(kuò)散由粒子內(nèi)部遷移到粒子的表面,電子可以轉(zhuǎn)移至電子受體的化合物進(jìn)行還原反應(yīng),而電洞則與氧化物半導(dǎo)體表面的OH?/SUP>官能基進(jìn)行氧化反應(yīng),生成高活性的OH自由基,可將許多難分解的有機(jī)化合物,降解氧化成二氧化碳和水等簡(jiǎn)單的化合物,此即為納米半導(dǎo)體微粒所具有的光觸媒催化特性。<br> <br>圖三 納米半導(dǎo)體微粒能隙值與粒徑大小的關(guān)系(2)<br> <br>圖四 二氧化鈦納米半導(dǎo)體微粒的光觸媒催化程序(4)<br>量子局域效應(yīng)<br> 根據(jù)海森堡測(cè)不準(zhǔn)原理,經(jīng)由量子力學(xué)無(wú)法同時(shí)于物質(zhì)中正確得知電子(或光子)的位置與動(dòng)量,其中一個(gè)愈準(zhǔn)確,另一個(gè)就愈不準(zhǔn)確。若將電子(或光子)限制在狹小的納米空間范圍里,則可能的動(dòng)量范圍就愈廣,動(dòng)量范圍愈廣,則電子(或光子)平均能量就愈高,且在范圍邊界處,其性質(zhì)有量子化躍遷的效應(yīng)(如圖五所示)。當(dāng)納米半導(dǎo)體微粒的粒徑 r 小于激子波耳半徑(exciton Bohr radius)aB時(shí),電子的平均自由行程局域于很小的空間,此時(shí)電洞極易與電子結(jié)合形成激子,由電子和電洞波函數(shù)的重疊所產(chǎn)生的激子吸收能帶,不僅具有很強(qiáng)的激子能帶吸收系數(shù),于受光激發(fā)時(shí),則呈現(xiàn)明顯的發(fā)光現(xiàn)象。<br> <br>圖五 電子與光子的量子局域效應(yīng)(3)<br> 光子晶體(photonic crystals)是由不同介電常數(shù)的材料周期排列所成的結(jié)構(gòu),其規(guī)則排列周期寬度約為可見(jiàn)光至紅外光波長(zhǎng)的1/4~1/2 (約80~800 nm),如同半導(dǎo)體材料對(duì)電子之影響一般,光子晶體的結(jié)構(gòu)也會(huì)影響電磁波于晶體中的傳導(dǎo),亦即在晶體結(jié)構(gòu)中存在一能帶間隙可排除特定頻率的光子通過(guò),所以光子晶體又稱(chēng)為光能隙晶體(photonic bandgap crystals, PBG)。圖六(A)所示是由兩不同介電薄膜交替組成一維PBG晶體結(jié)構(gòu)示意圖。由圖六(A)結(jié)構(gòu)所計(jì)算的一維PBG晶體光子能帶結(jié)構(gòu)示于圖六(B),圖中斜線區(qū)域即為光子能帶間隙,任何電磁波之頻率落于此區(qū)域時(shí),無(wú)論其方向或偏極化皆無(wú)法傳導(dǎo)通過(guò)PBG晶體,而被局域于此空間之內(nèi)。光子能帶結(jié)構(gòu)通常是以不同波長(zhǎng)電磁波的穿透率量測(cè)(如圖六C所示),其能帶間隙特征主要由三個(gè)參數(shù)所決定:能隙中間值(l min);能隙寬(D l )或gap/midgap比值(D l /l min);能隙最大衰減值(10 log(Imax/Imin))(單位為dB)。光子晶體可用來(lái)局域、控制、調(diào)變?nèi)卧臻g的光子傳導(dǎo),例如阻隔特定頻率光子的傳導(dǎo);將限定頻率的光子定域化于特定面積;禁制激發(fā)態(tài)發(fā)光基團(tuán)的自發(fā)光;充當(dāng)特定方向無(wú)損耗的光波導(dǎo),這些性質(zhì)可應(yīng)用于相干性發(fā)光二極管、無(wú)閥值半導(dǎo)體二極管雷射,及其它光學(xué)、光電及量子組件的性能提升等。<br> <br>圖六(A)由兩不同介電薄膜交替組成的1D PBG晶體結(jié)構(gòu)示意圖;<br>(B)代表性一維 PBG晶體光子能帶結(jié)構(gòu)示意圖;<br>(C)PBG晶體光子能帶結(jié)構(gòu)以不同波長(zhǎng)電磁波之穿透光譜量測(cè)。(5)<br>參考文獻(xiàn)<br> (1)張力德,牟季美,「納米材料和納米結(jié)構(gòu)」,科學(xué)出版社,北京(2001)。<br> (2)A.D.Yoffe,Adv.Phys.51,799(2002).<br> (3)C.Weisbuch,H.Benisty,R.Houdre,J.Lumin.85,271(2000).<br> (4)P.V.Kamat,J.Phys.Chem.B,106,7729(2002).<br> (5)Y.Xia et al.,Adv.Mater.,12,693(2000).<p> |
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